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砷化铟
CAS 号:   1303-11-3
用途:   InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值,低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。另外可以制造光纤通信用的激光器和探测器
详情介绍

名:砷化铟

文:Indium Arsenide

CAS号:1303-11-3

分子式:InAs

分子量:189.74

EINECS号: 215-115-3

规格: 99.0%

外观性状:灰色颗粒,无气味 密度(g/mL,25℃):5.67

用途:InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值,低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。另外可以制造光纤通信用的激光器和探测器。

装:1KG / 塑料试剂瓶

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