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砷化铟 | ||
CAS 号: | 1303-11-3 | |
用途: | InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值,低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。另外可以制造光纤通信用的激光器和探测器 | |
品 名:砷化铟
英 文:Indium Arsenide
CAS号:1303-11-3
分子式:InAs
分子量:189.74
EINECS号: 215-115-3
规格: 99.0%
外观性状:灰色颗粒,无气味 密度(g/mL,25℃):5.67
用途:InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值,低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。另外可以制造光纤通信用的激光器和探测器。
包 装:1KG / 塑料试剂瓶